Наименьшее дорожное зарядное устройство GaN, адаптер для сверхбыстрой зарядки мощностью 65 Вт
Нитрид галлия - это новый тип полупроводникового материала, который имеет характеристики большой ширины запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой термостойкости, радиационной стойкости, кислотостойкости и щелочности, высокой прочности и высокой твердости. Поскольку стоимость технологических достижений находится под контролем, нитрид галлия в настоящее время широко используется в бытовой электронике и других областях, и зарядные устройства являются одним из них.
В настоящее время основным материалом для большинства отраслей промышленности является кремний, но по мере того, как предел кремния постепенно приближается, многие отрасли начали усиленно работать над поиском более подходящих заменителей. Вот так нитрид галлия попал в глаза людям.
АПреимущества зарядного устройства GaN
Проще говоря, нитрид галлия известен как материал полупроводникового сердечника третьего поколения. По сравнению с кремнием нитрид галлия имеет более широкую запрещенную зону, что также означает, что нитрид галлия может выдерживать более высокие напряжения, чем кремний, и имеет лучшую проводимость. Короче говоря, при двух материалах в одном объеме нитрид галлия намного эффективнее кремния. Если нитрид галлия заменит все текущее электронное оборудование, это может снизить энергопотребление электронных продуктов еще на 10% или 25%.
Во многих продуктах для управления питанием нитрид галлия присутствует сильнее. На прикладном уровне использование нитрида галлия в качестве зарядного устройства может обеспечить более быструю зарядку и меньший объем.
По сравнению с традиционными зарядными устройствами зарядные устройства из нитрида галлия (GaN) имеют такие особенности, как меньший размер и более высокую эффективность.
Например, зарядная головка, сделанная из материала нитрида галлия, может достигать большей мощности, когда объем примерно такой же, как у Apple 5 Вт.
Зарядные устройства на основе GaN не только более эффективны в передаче тока, но и имеют меньшие потери энергии. Следовательно, при зарядке мы получим больше энергии. Когда компоненты более эффективно передают энергию устройству, требуется меньше компонентов.
Это также важная причина, по которой мы склонны выбирать зарядные устройства с GaN:
Это на 50% меньше, чем стандартное зарядное устройство MacBook мощностью 61 Вт.
В 2,5 раза быстрее, чем стандартный выход 1 А
Он может заряжать все устройства USB-C от мобильных телефонов до ноутбуков
Ожидается, что новые технологии, такие как нитрид галлия (GaN), значительно улучшат многие аспекты управления питанием, выработки электроэнергии и выходной мощности.
Для пользователей самым прямым преимуществом является то, что он может обеспечить более быструю зарядку, но при этом громкость не увеличится. Из-за характеристик самого материала нитрида галлия GaN, если в зарядном устройстве используется нитрид галлия GaN в качестве материала, он не только может быть маленьким по размеру и легким по весу, но также имеет очень значительное увеличение тепловыделения и преобразования эффективности. Многие продукты, такие как процессоры, зарядные головки и т. Д., Значительно снижают эффективность нагрева.
DПреимущества зарядного устройства GaN:
У материалов из нитрида галлия также есть недостатки. Полупроводники GaN относительно дороги и имеют ограниченные производственные мощности. Заменить кремний за короткий срок непросто.
Разработка нитрида галлия
Чипы из GaN будут быстрее, меньше по размеру, более энергоэффективными и, в конечном итоге, дешевле.
