De kleinste GaN-reislader 65W supersnelle oplaadadapter
Galliumnitride is een nieuw type halfgeleidermateriaal, dat de kenmerken heeft van een grote verboden bandbreedte, hoge thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurbestendigheid, stralingsbestendigheid, zuur- en alkalibestendigheid, hoge sterkte en hoge hardheid. Aangezien de kosten van technologische doorbraken worden beheerst, wordt galliumnitride momenteel veel gebruikt in consumentenelektronica en andere gebieden, en laders zijn daar een van.
Momenteel is silicium het basismateriaal van de meeste industrieën, maar naarmate de limiet van silicium geleidelijk nadert, zijn veel industrieën hard gaan werken om geschiktere vervangers te vinden. Dit is hoe galliumnitride in de ogen van mensen is gekomen.
EENvoordelen van GaN-oplader
Simpel gezegd staat galliumnitride bekend als het derde generatie halfgeleiderkernmateriaal. In vergelijking met silicium heeft galliumnitride een grotere bandafstand, wat ook betekent dat galliumnitride hogere spanningen kan weerstaan dan silicium en een betere geleiding heeft. Kortom, met de twee materialen in hetzelfde volume, is galliumnitride veel efficiënter dan silicium. Als galliumnitride alle huidige elektronische apparatuur vervangt, kan dit het energieverbruik van elektronische producten met nog eens 10% of 25% verminderen.
In veel energiebeheerproducten is galliumnitride sterker aanwezig. Op toepassingsniveau kan het gebruik van galliumnitride als oplader een snellere oplading en een kleiner volume bereiken.
Vergeleken met traditionele laders hebben galliumnitride (GaN) laders kenmerken zoals een kleiner formaat en een hoger rendement.
Een oplaadkop van galliumnitridemateriaal kan bijvoorbeeld meer vermogen leveren als het volume ongeveer hetzelfde is als de 5W van Apple.
GaN-laders zijn niet alleen effectiever in het overbrengen van stroom, maar hebben ook minder energieverlies. Daarom krijgen we meer energie tijdens het opladen. Wanneer de componenten efficiënter energie naar het apparaat overbrengen, zijn er minder componenten nodig.
Dit is ook een belangrijke reden waarom we de neiging hebben om voor GaN-laders te kiezen:
Hij is 50% kleiner dan de standaard MacBook-oplader van 61 W
2,5 keer sneller dan standaard 1A-uitvoer
Het kan alle USB-C-apparaten opladen, van mobiele telefoons tot laptops
Nieuwe technologieën zoals galliumnitride (GaN) zullen naar verwachting veel aspecten van energiebeheer, energieopwekking en vermogen aanzienlijk verbeteren.
Voor gebruikers is het meest directe voordeel dat het sneller opladen kan opleveren, maar het volume zal niet toenemen. Vanwege de kenmerken van het GaN-galliumnitridemateriaal zelf, kan het, als de lader GaN-galliumnitride als materiaal gebruikt, niet alleen klein en licht van gewicht zijn, maar heeft het ook een zeer significante toename in warmteontwikkeling en efficiëntieconversie. Veel producten, zoals CPU's, oplaadkoppen, enz., Zullen hun verwarmingsefficiëntie aanzienlijk verminderen.
Disvoordelen van GaN-oplader:
Galliumnitridematerialen hebben ook tekortkomingen. GaN-halfgeleiders zijn relatief duur en hebben een beperkte productiecapaciteit. Het is niet eenvoudig om op korte termijn silicium te vervangen.
De ontwikkeling van galliumnitride
Chips gemaakt van GaN worden sneller, kleiner, energiezuiniger en uiteindelijk goedkoper.
